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IRF7530TRPBF中文资料

IRF7530TRPBF图片

IRF7530TRPBF外观图

  • 大小:147.1KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, MICRO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.4A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:4,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:30 毫欧 @ 5.4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:26nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1310pF @ 15V
  • 功率 - 最大:1.3W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
  • 供应商设备封装:Micro8?
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF7530TRPBF-NDIRF7530TRPBFTR

IRF7530TRPBF供应商

更新时间:2023-01-03 20:56:04
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